上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi 霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, load lock, 濺射系統, 分子束外延, 脈沖激光沉積等, 實現 IBAD 輔助鍍膜的工藝.
KRi 霍爾離子源特點
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高電流低能量寬束型離子束
燈絲壽命更長
更長的運行時間
更清潔的薄膜
燈絲安裝在離子源側面
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KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設備: 美國進口 e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: EH 400
應用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積.
通過使用美國 KRi 霍爾離子源可以實現
增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進, 控制薄膜化學計量, 提高折射率, 降低薄膜應力, 控制薄膜微觀結構和方向, 提高薄膜溫度和環境穩定性, 增加薄膜附著力, 激活表面,平滑的薄膜界面和表面,降低薄膜吸收和散射,增加硬度和耐磨性.
美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統, 實現 IBAD 輔助鍍膜 (電子束蒸發或熱蒸發, 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積)
美國 KRi 霍爾離子源 eH 系列在售型號:
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型號
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eH400
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eH1000
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eH2000
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eH3000
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eH Linear
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中和器
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F or HC
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F or HC
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F or HC
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F or HC
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F
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陽極電壓
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50-300 V
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50-300 V
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50-300 V
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50-250 V
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50-300 V
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離子束流
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5A
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10A
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10A
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20A
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根據實際應用
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散射角度
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>45
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>45
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>45
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>45
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>45
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氣體流量
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2-25 sccm
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2-50 sccm
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2-75 sccm
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5-100 sccm
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根據實際應用
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本體高度
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3.0“
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4.0“
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4.0“
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6.0“
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根據實際應用
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直徑
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3.7“
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5.7“
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5.7“
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9.7“
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根據實際應用
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水冷
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可選
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可選
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是
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可選
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根據實際應用
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F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
上海伯東同時提供 e-beam 電子束蒸發系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發更高質量的設備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域. 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
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